65 нанометарска технологија за мобилну платформу

Интелова 65-нанометарска (1-10) нанометарска технологија обезбеђује бољу комбинацију потрошње енергије и перформанси него што Интел тренутно користи
Његов 90-нанометарски процес даје дизајнерима Интел чипова више могућности за пројектовање густине кола, перформанси и потрошње енергије како би се задовољиле потребе корисника уређаја који зависе од батерије.

 

„Људи траже мобилне платформе које максимизирају век трајања батерије“, рекао је Мооли Еден, потпредседник и генерални менаџер Интел Мобиле Платформс Гроуп. „Развој таквих алата се очекује од технологије која се тренутно развија. Дизајнираћемо мобилне платформе будућности уз пуну употребу наша два најсавременија процеса од 65 нанометара.

 

Једно од кључних питања у смањењу потрошње енергије чипова је развој транзистора, што је важно разматрање за мобилне уређаје и уређаје на батерије. Микроскопски транзистори троше електричну енергију чак и када су угашени, узрокујући много главобоље читавој индустрији.

 

„Број транзистора на сваком чипу може премашити милијарду, тако да је разумљиво како развој транзистора може имати позитиван утицај на цео уређај“, рекао је Марк Бор, шеф Интелове процесне архитектуре и интеграције. „Тестирање чипова за уштеду енергије направљених Интел 65-нанометарском технологијом показало је да је „цурење“ транзистора отприлике хиљаду пута мање него код производа који напуштају традиционални производни процес. Ово штеди огромну количину енергије за кориснике чији су уређаји изграђени на овој технологији.

 

 

Интел-ова 65нм производна технологија укључује бројне значајне модификације транзистора које омогућавају нижу потрошњу енергије, а истовремено испоручују водеће перформансе у индустрији. Модификације транзистора су значајно смањиле количину струје цурења. Смањење цурења транзистора може се приписати нижој потрошњи енергије и продуженом трајању батерије.

 

 

Интелова 65-нанометарска технологија комбинује транзисторе веће снаге и мање снаге, Интелов пристрасни силицијум, брзе џампере на бази бакра и ниско-к-диелектричну изолацију. Процесори направљени са 65нм производном технологијом омогућавају Интелу да удвостручи број транзистора који се данас могу изградити на једном чипу (користећи Интелову 90нм технологију).

 

Интелови 65-нанометарски процесори ће имати транзисторе дужине капије од 35 нанометара који ће бити најмањи и најмоћнији ЦМОС транзистори у масовној производњи. Поређења ради, најнапреднији транзистори који се данас производе налазе се у Интел® Пентиум® 4 процесорима, који су 50 нм. Мали и брзи транзистори су главни грађевински блокови веома брзих процесора. 

 

Интел користи ову другу генерацију, растегнути силицијум високих перформанси за 65нм технологију. Коришћењем силицијума под стресом, струја тече већом брзином, чиме се повећава брзина транзистора и повећавају трошкови производње за само два процента.

 

За више информација о Интел технологији, погледајте ввв.интел.цом/тецхнологи страна.