Интел је редизајнирао транзистор, овог пута у 3Д облику

Тродимензионални транзистори који се користе за производњу 22-нанометарских пропусних опсега пружају комбинацију без преседана смањене потрошње енергије и повећане снаге.

Интел је данас најавио велико откриће у развоју транзистора, који су градивни блокови модерне микроелектронике. Од проналаска транзистора заснованих на силицијуму пре 50 година, транзистори са тродимензионалном структуром били су први који су комерцијално произведени. Интел ће први користити такозване Три-Гате, или транзисторе са три врата, у својој 22-нанометарској полупроводничкој технологији за производњу процесора кодног имена Иви Бридге. Тродимензионални транзистори са три врата представљају фундаментални помак од дводимензионалних равни транзистора на којима су изграђени сви до сада микроелектронски чипови.
„Интелови научници и инжењери поново су пронашли транзистор, овог пута искористивши предност треће димензије“, рекао је Паул Отеллини, Интелов председник и извршни директор. Научници су одавно препознали благодати 3Д структуре у одржавању темпа који диктира Моореов закон чак и након што минијатуризација постане тешка због ограничења физичког света на атомском нивоу. Интел је своје истраживање о транзисторима са три врата први пут објавио 2002. године, а поента данашњег напретка је у томе што је Интел направио иновативно решење применљиво на масовну производњу. Ово је отворило још једно доба пре Моореовог закона, омогућавајући читав низ иновативних развоја. Моореов закон очекује да ће се број транзистора интегрисаних на једној силицијумској плочици отприлике удвостручити сваке две године, захваљујући напретку полупроводничке технологије. Овај темпо је одредио последње четири деценије индустрије полупроводника.

Стара 3Д верзија је на левој, а нова XNUMXД верзија је на десној страни

Незапамћено смањење потрошње и повећање перформанси

3Д Три-Гате транзистори омогућавају чиповима да раде на нижим нивоима напона, што може драстично повећати снагу без повећања потрошње енергије или постизања одређеног нивоа снаге са много мањом потрошњом енергије. То инжењерима дизајнера чипова даје слободу да одлуче хоће ли тежити већим перформансама или нижој потрошњи енергије, у зависности од подручја. Транзистори са три врата од 22 нанометара показују до 37 процената више снаге при ниским напонима од Интелових авионских транзистора са 32 нанометара. Ово огромно унапређење чини технологију идеалном за паметне телефоне, јер се огроман скок у перформансама може постићи без повећања потрошње. Нова технологија постиже задати ниво перформанси са приближно половином потрошње.
„Стопа повећања перформанси и смањења потрошње енергије постигнута јединственим Интеловим 3Д Три-Гате транзисторима је без премца“, рекао је Марк Бохр, Интелов инжењер. „Ова прекретница је више од подржавања Мооре-овог закона. Предности смањеног напона и потрошње далеко превазилазе оно што обично доживљавамо у генерацијском кораку. Верујемо да ће овај напредак додатно повећати Интелову предност над осталим играчима у индустрији полупроводника “.
Захваљујући изванредној, ултра танкој равни транзистора, они се могу чврсто интегрисати, решавајући најхитнији проблем минијатуризације, физичка ограничења континуираног скупљања равних структура - дводимензионални транзистори постају тањи у свим погледима да би се повећали густина и снага. Вертикалним истезањем равни може се повећати снага без угрожавања густине транзистора.

32 нм (лево) и 22 нм (десно)

Прва демонстрација 22-нанометарских 3Д транзистора на свету

Тродимензионални транзистори Три-Гате биће представљени Интеловом следећом генерацијом 22-нанометарске производне технологије, коју ће компанија увести у масовну производњу у другој половини године, првом на свету. Да би доказао зрелост технологије, Интел је данас представио и примерке првог 22-нанометарског процесора на свету, кодног имена Иви Бридге, који је доступан на преносним рачунарима, радним површинама и серверима. Поред Иви Бридге-а, породица Интел Атом такође ће имати користи од 22-нанометарске производне технологије, што додатно побољшава интеграцију Атом процесора. 22-нанометарски Атом чипови пружит ће веће перформансе и функционалност, а истовремено задовољити захтјеве снаге, цијене и величине мобилних уређаја.