ДДР3 меморије су већ на 30 нм

Самсунг такође планира даљње велике надоградње до краја године.

Самсунг је започео масовну производњу 2 Гбит меморијских чипова на 30 нм. Као резултат тога, потрошња и радни напон су значајно смањени. То значи да је такт до 1,35 МХз доступан на 1.866 В и 1,5 МХз на 2.133 В. У поређењу са претходним чиповима произведеним на 50 нм, уштеда енергије до 20% може се постићи на предњој страни сервера. Међутим, произвођач не стаје на томе и желе представити 4Гбит чипове до краја ове године, који сада могу произвести модуле од 8 ГБ на стоним и пријеносним линијама, док за сервере капацитет модула може досећи 32 ГБ.

Модули са тренутним чиповима од 2 Гбит бит ће доступни у капацитетима од 2, 4 и 8 ГБ, али још увијек нема информација о очекиваним цијенама.