Самсунг модернизује: 4-гигабитни ЛПДДР3 у серијској производњи

Чипови, произведени са пропусношћу од 20 нанометара, нуде пропусност од 2133 Мбпс. Ово је више него двоструко напредовање преко 800 МХз ЛПДДР2 меморија. Изузетно бруталан темпо добро илуструје чињеница да би било довољно пренијети још више Фулл ХД видео садржаја. Можда је још изненађујућа чињеница да нове меморије могу примити 20 одсто мање од чипова ЛПДДР2, а такође и изузетно штеде простор јер су једва 0,8 милиметара високе.